中國加速發展本土AI芯片，除了受到中芯國際等晶圓代工廠產能限制外，缺乏高帶寬記憶體（HBM）技術成為一大考驗。 半導體研究機構《SemiAnalysis》最新報告指出，雖然中國企業近年大舉囤貨，但到今年底進口的HBM庫存將逐步耗盡，導致華為等廠商明年可能無法生產百萬片以上的AI芯片。

目前，中國對HBM的依賴程度極高，尤其在美國嚴格出口管制之前，華為與其他廠商積極掃貨，庫存來自三星等外國供應商。 報告指出，三星一度向中國出口約1140萬個HBM，占中國現有存量的主要比例。

然而，隨著國際限制加強，難以彌補需求缺口。 統計顯示，中國總計采購約1300萬個HBM，足以支持160萬個升騰910C芯片，但在當前消耗速度下，供應緊繃問題將在年底浮現。

中國原本有能力每年生產超過80萬片升騰910C，但由于HBM供應不足，實際產能無法完全釋放。 換言之，存儲器正是限制中國AI芯片擴張的關鍵因素。

報告分析，如果中國缺乏足夠HBM，再多的芯片設計與代工努力也難以發揮效益，英偉達、超微等西方企業則能憑借完整供應鏈保持領先。

至于本土替代方案，中國雖積極推動長鑫存儲等企業投入HBM開發，但進展仍受限，主因在于，將標準DRAM轉向HBM技術，需要高度專業化的設備與技術積累，而目前長鑫在工具取得與良率提升方面均面臨障礙。 但如果長鑫能持續獲得關鍵設備并改善制程，最快可能在2026年量產性能大幅提升的HBM3e，屆時中國或能部分突破困境。

北京市政府已提出明確計劃，力拼在2027年前達成半導體設計與制造的完全自給；上海市政府則設定目標，要在2027年讓數據中心，特別是AI應用所需芯片的“自主控制率”超過七成。