受美國技術封鎖影響，中國無法取得阿斯麥（ASML）最先進的極紫外光（EUV）設備。然而，成立僅4年的深圳芯片設備商新凱來，近日首度公開展示28奈米級300 毫米晶圓光刻技術，展現大陸在先進半導體設備領域的自主研發成果，引發全球產業高度關注。

綜合外媒報導，新凱來于上海SEMICON China 2025 半導體展會上，展出包含原子層沉積（ALD）、化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、蝕刻、退火等關鍵制程的設備。盡管未展示光刻設備，但據了解，新凱來已成功研發適用于300毫米晶圓的28奈米浸潤式光刻系統，技術與國際主流設備供應商不相上下。

新凱來與華為合作開發的28奈米光刻機，主要是為了取代包括 ASML 在內的國際半導體設備大廠，提升自主性，突破美國政府對先進芯片設備的出口管制措施。

半導體產業分析師王磊表示，28奈米是成熟制程與先進制程的分水嶺，也是中國半導體設備廠商必須突破的難關。新凱來的技術突破，代表中國的國產設備在關鍵制程領域取得了重大進展。

新凱來成立于2021年8 月，由深圳市政府資助，致力于開發半導體制造相關設備，在北京、上海、西安等地設立研發中心，并從業界挖角頂尖技術人才，網羅曾在ASML、應用材料、科林研發（Lam Research）、東京威力科創（Tokyo Electron）等國際大廠的優秀工程師。

盡管成立僅 4 年，新凱來已展現出強烈的市場企圖心，其客戶名單囊括了中芯國際、華虹集團等中國半導體產業的龍頭晶圓廠。不只如此，新凱來部分蝕刻設備已在功率半導體產線實現批量應用。

展望未來，新凱來計劃在未來3年內將研發中心拓展至10個以上的城市，更將在歐洲和東南亞設立技術服務中心，提供客戶專業支援，擴大其全球影響力。

來源：中時新聞網